Накопитель Samsung SSD 850 Evo M.2 MZ-N5E250BW
Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную
Описание
- Основные характеристики
- ПрименениеПользовательские ПК
- Производительность250 млрд байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
- Форм-факторM.2
- ИнтерфейсыSATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
- Размеры (ШxВxГ)Mакс. 80,15 x Макс. 22,15 x Макс. 2,38 (мм)
- Вес (г.)Макс. 6,5 г.
- Основная памятьSamsung V-NAND
- КонтроллерSamsung MGX Контроллер
- Буферная памятьSamsung 512 MB Low Power DDR3
- Особенности
- Поддержка TRIMДа
- Поддержка S.M.A.R.TДа
- GC (сборка мусора)Auto Garbage Collection алгоритм
- Поддержка шифрованияAES 256
- Поддержка WWNДа
- Поддержка режима снаДа
- Характеристики
- Последовательное чтениеДо 540 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Последовательная записьДо 520 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4 КБ, QD32)До 97 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4 КБ, QD32)До 89 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4KB, QD1)До 10 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4KB, QD1)До 40 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Условия эксплуатации
- Среднее энергопотребление (на системном уровне)* В среднем: 2,4 Вт * Максимум: 3,7 Вт (пакетный режим) * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы.
- Энергопотребление в ждущем режимеМакс. 50 мВт * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы.
- Напряжение питания3,3 В ± 5 % допустимого напряжения
- Надежность (MTBF)1,5 Миллион часов (MTBF)
- Диапазон рабочих температур0 — 70 ? Рабочая температура
- Устойчивость к ударам1 500 G & 0,5 мс (Полусинусоида)
- Программное обеспечение
- Дополнительное ПОMagician Software для управления SSD
- ГарантияГарантия: 5 лет / Ресурс записи: 75 трлн байт
