Накопитель Samsung SSD 850 Evo M.2 MZ-N5E250BW

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную

Описание

  • Основные характеристики
    • ПрименениеПользовательские ПК
    • Производительность250 млрд байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
    • Форм-факторM.2
    • ИнтерфейсыSATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
    • Размеры (ШxВxГ)Mакс. 80,15 x Макс. 22,15 x Макс. 2,38 (мм)
    • Вес (г.)Макс. 6,5 г.
    • Основная памятьSamsung V-NAND
    • КонтроллерSamsung MGX Контроллер
    • Буферная памятьSamsung 512 MB Low Power DDR3
  • Особенности
    • Поддержка TRIMДа
    • Поддержка S.M.A.R.TДа
    • GC (сборка мусора)Auto Garbage Collection алгоритм
    • Поддержка шифрованияAES 256
    • Поддержка WWNДа
    • Поддержка режима снаДа
  • Характеристики
    • Последовательное чтениеДо 540 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Последовательная записьДо 520 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайное чтение (4 КБ, QD32)До 97 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайная запись (4 КБ, QD32)До 89 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайное чтение (4KB, QD1)До 10 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайная запись (4KB, QD1)До 40 000 IOPS **Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
  • Условия эксплуатации
    • Среднее энергопотребление (на системном уровне)* В среднем: 2,4 Вт * Максимум: 3,7 Вт (пакетный режим) * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы.
    • Энергопотребление в ждущем режимеМакс. 50 мВт * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы.
    • Напряжение питания3,3 В ± 5 % допустимого напряжения
    • Надежность (MTBF)1,5 Миллион часов (MTBF)
    • Диапазон рабочих температур0 – 70 ? Рабочая температура
    • Устойчивость к ударам1 500 G & 0,5 мс (Полусинусоида)
  • Программное обеспечение
    • Дополнительное ПОMagician Software для управления SSD
  • ГарантияГарантия: 5 лет / Ресурс записи: 75 трлн байт