Накопитель Samsung SSD 850 Evo Sata III MZ-75E2T0BW
Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND плоские ячейки хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND с ячейками вертикальной формы, что позволяет устранить влияние ячеек друг на друга. Увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба надежности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать одновременно емкую, быструю и надежную память.
Описание
- Основные характеристики
- ПрименениеПользовательский ПК
- Производительность2 трл байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
- Форм-фактор2,5 дюйма
- ИнтерфейсыSATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
- Размеры (ШxВxГ)100 X 69.85 X 6.8 (мм)
- Вес (г.)Макс. 55 г
- Основная памятьSamsung V-NAND
- КонтроллерSamsung MHX Контроллер
- Буферная памятьSamsung 2ГБ Low Power DDR3
- Особенности
- Поддержка TRIMДа
- Поддержка S.M.A.R.TДа
- GC (сборка мусора)Да
- Поддержка WWNДа
- Поддержка режима снаДа
- Характеристики
- Последовательное чтениеДо 540 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Последовательная записьДо 520 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4 КБ, QD32)До 98 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4 КБ, QD32)До 90 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4KB, QD1)До 10 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4KB, QD1)До 40 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Условия эксплуатации
- Среднее энергопотребление (на системном уровне)*Ср: 3.4 Вт *Макс: 5.0 Вт (пиковая нагрузка)
*Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части - Энергопотребление в ждущем режимеМакс. 50 мВт
*Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части - Напряжение питания5 В ± 5% Допустимое напряжение
- Надежность (MTBF)1,5 Миллион часов (MTBF)
- Диапазон рабочих температур0 — 70 ?
- Устойчивость к ударам1 500G & 0,5 мс. (Полусинусоида)
- Среднее энергопотребление (на системном уровне)*Ср: 3.4 Вт *Макс: 5.0 Вт (пиковая нагрузка)
- Программное обеспечение
- Дополнительное ПОПО Magician для управления SSD
- ГарантияГарантия: 5 лет / Ресурс записи: 300 трлн байт