Накопитель Samsung SSD 850 Evo Sata III MZ-75E2T0BW

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND плоские ячейки хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND с ячейками вертикальной формы, что позволяет устранить влияние ячеек друг на друга. Увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба надежности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать одновременно емкую, быструю и надежную память.

Описание

  • Основные характеристики
    • ПрименениеПользовательский ПК
    • Производительность2 трл байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
    • Форм-фактор2,5 дюйма
    • ИнтерфейсыSATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
    • Размеры (ШxВxГ)100 X 69.85 X 6.8 (мм)
    • Вес (г.)Макс. 55 г
    • Основная памятьSamsung V-NAND
    • КонтроллерSamsung MHX Контроллер
    • Буферная памятьSamsung 2ГБ Low Power DDR3
  • Особенности
    • Поддержка TRIMДа
    • Поддержка S.M.A.R.TДа
    • GC (сборка мусора)Да
    • Поддержка WWNДа
    • Поддержка режима снаДа
  • Характеристики
    • Последовательное чтениеДо 540 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Последовательная записьДо 520 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайное чтение (4 КБ, QD32)До 98 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайная запись (4 КБ, QD32)До 90 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайное чтение (4KB, QD1)До 10 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
    • Случайная запись (4KB, QD1)До 40 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
  • Условия эксплуатации
    • Среднее энергопотребление (на системном уровне)*Ср: 3.4 Вт *Макс: 5.0 Вт (пиковая нагрузка)
      *Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
    • Энергопотребление в ждущем режимеМакс. 50 мВт
      *Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
    • Напряжение питания5 В ± 5% Допустимое напряжение
    • Надежность (MTBF)1,5 Миллион часов (MTBF)
    • Диапазон рабочих температур0 – 70 ?
    • Устойчивость к ударам1 500G & 0,5 мс. (Полусинусоида)
  • Программное обеспечение
    • Дополнительное ПОПО Magician для управления SSD
  • ГарантияГарантия: 5 лет / Ресурс записи: 300 трлн байт