Накопитель Samsung SSD 850 Evo Sata III MZ-75E500BW
Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND плоские ячейки хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND с ячейками вертикальной формы, что позволяет устранить влияние ячеек друг на друга. Увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба надежности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать одновременно емкую, быструю и надежную память.
Описание
- Основные характеристики
- ПрименениеПользовательский ПК
- Производительность500 млрд байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
- Форм-фактор2,5 дюйма
- ИнтерфейсыSATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
- Размеры (ШxВxГ)100 X 69.85 X 6.8 мм
- Вес (г.)Max. 55 г
- Основная памятьSamsung V-NAND
- КонтроллерSamsung MGX Контроллер
- Буферная памятьSamsung DDR3, 512 МБ (низкая мощность)
- Особенности
- Поддержка TRIMДа
- Поддержка S.M.A.R.TДа
- GC (сборка мусора)Auto Garbage Collection алгоритм
- Поддержка шифрованияAES 256
- Поддержка WWNДа
- Поддержка режима снаДа
- Характеристики
- Последовательное чтениеДо 540 млн байт / сек *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Последовательная записьДо 520 *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4 КБ, QD32)До 98 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4 КБ, QD32)До 90 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайное чтение (4KB, QD1)До 10 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Случайная запись (4KB, QD1)До 40 000 IOPS *Показатели скорости передачи данных основанны на результатах внутреннего тестирования, проведенного компанией Самсунг. Скорость передачи данных зависит от используемого оборудования и условий тестирования.
- Условия эксплуатации
- Среднее энергопотребление (на системном уровне)В среднем: 2,5 Вт * Максимум: 3,5 Вт (пакетный режим) * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы
- Энергопотребление в ждущем режимеМакс. 50 мВт * Фактический уровень энергопотребления может зависеть от аппаратного обеспечения и конфигурации системы
- Напряжение питания5 В ± 5% Допустимое напряжение
- Надежность (MTBF)1,5 Миллион часов (MTBF)
- Диапазон рабочих температур0 — 70 °C Рабочая температура
- Устойчивость к ударам1500 G в течение 0,5 мс (полусинусоидальный импульс)
- Программное обеспечение
- Дополнительное ПОПО Magician для управления SSD
- ГарантияГарантия: 5 лет / Ресурс записи: 150 трлн байт
